英特尔首席执行官帕特·基辛格表示,他对公司的18A工艺充满信心,并声称它与台积电的2nm节点竞争有利,并且更早交付。
帕特·基辛格在接受外媒采访时表示:Intel最新开发的18A制程技术有两个主要创新点:新的晶体管和背侧电源技术。关于18A的晶体管与TSMC N2制程的晶体管相比,两者优劣尚且没有定论。但在背侧电源技术上,Intel处于业内领先地位。这项技术意义重大,它可以提高硅片的面积利用效率,降低成本,还可以提高功率传递,增加性能。基辛格认为,Intel18A在晶体管和电源传输两方面都有优势,整体而言略比TSMC N2制程领先一些。
根据目前已公开的信息来看,英特尔的18A工艺节点将使用全新RibbonFET晶体管以及名为PowerVia的电源传输技术。 预计18A制程相比20A制程,性能将有10%的提升。有报道称,ARM可能是Intel 18A制程的第一个客户,计划用于移动SOC领域,但这目前仅仅是一个传言。